据中新经纬援引路透社9月18日报道，中国芯片制造商长鑫存储正准备进入闪存市场。
消息人士透露，长鑫存储计划在北京新工厂建立一条NAND闪存的研发生产线，公司还在北京设立了研究院，项目包括NAND开发。
长鑫存储已与客户讨论了其NAND闪存计划，其中包括一家新成立的初创公司。该公司计划采购长鑫存储的NAND芯片，用于人工智能系统和超级计算机的存储产品。该人士拒绝透露该公司名称。
目前尚不清楚研发生产线何时开始运营，也不清楚长鑫存储是否计划从研发和试产阶段转向大规模商业化制造。
全球闪存市场主要由三星电子和其他外国竞争对手主导。根据研究机构TrendForce数据，第二季度，三星电子以29.3%的市场份额，成为全球最大的NAND闪存供应商；SK海力士排名第二，其次是美光科技。
本文来源：中新经纬
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